本发明涉及一种具有沟槽栅极结构的半导体器件，包括漂移区、漂移区上的金属电极、从金属电极下方贯穿至漂移区的沟槽、沟槽内表面的栅氧化层、以及沟槽内的多晶硅栅极，还包括设于所述沟槽内且在所述多晶硅栅极上方的介质层，以及所述沟槽顶部两侧的掺杂区。本发明还涉及一种具有沟槽栅极结构的半导体器件的制造方法。本发明通过更改掺杂区和沟槽的设计，孔前淀积介质层并回刻，可以避免使用孔板，提升沟槽的单位密度，达到提高产品的电流密度的效果。同时由于不使用孔板，可以降低产品的生产成本，增强产品的竞争力。