发明授权
CN106165094B 用于晶片翘曲减小的应力缓解结构
失效 - 权利终止
- 专利标题： 用于晶片翘曲减小的应力缓解结构
-
申请号： CN201580017821.9申请日： 2015-03-25
-
公开(公告)号： CN106165094B公开(公告)日： 2019-01-08
- 发明人: J-H·J·兰 , D·F·伯蒂 , C·左 , D·D·金 , C·H·尹 , M·F·维纶茨 , N·S·慕达卡特 , R·P·米库尔卡 , J·金
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 杨丽
- 优先权： 61/975,570 2014.04.04 US
- 国际申请： PCT/US2015/022538 2015.03.25
- 国际公布： WO2015/153229 EN 2015.10.08
- 进入国家日期： 2016-09-29
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L23/532
摘要：
一种集成电路器件包括基板。该集成电路器件还包括第一导电栈，第一导电栈在相对于基板的第一标高处包括后端制程(BEOL)导电层。该集成电路器件还包括第二导电栈，第二导电栈在相对于基板的第二标高处包括BEOL导电层。第二标高不同于第一标高。
公开/授权文献
- CN106165094A 用于晶片翘曲减小的应力缓解结构 公开/授权日：2016-11-23
IPC分类:
