本发明提供一种LED芯片结构及其制作方法，其中制作方法包括：提供包括正面、背面的衬底；依次形成N型半导体层、有源层和P型半导体层；形成N电极、P电极；形成折射率小于衬底的折射率的缓冲层。LED芯片结构包括：衬底、N型半导体层、有源层以及P型半导体层；与N型半导体层电连接的N电极以及与P型半导体层电连接的P电极；形成于衬底背面的缓冲层，缓冲层的折射率小于衬底的折射率。本发明的有益效果在于，增加折射率小于衬底的缓冲层，减小从衬底中透射出的光线可能产生的全反射的几率，这样能够减小光线在衬底表面发生全反射的几率，增加光线的透射率，进而提升LED芯片结构的亮度。