Invention Grant
- Patent Title: 以SnO2为敏感电极的YSZ基混成电位型NH3传感器及其制备方法
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Application No.: CN201610718419.XApplication Date: 2016-08-25
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Publication No.: CN106093142BPublication Date: 2019-06-07
- Inventor: 卢革宇 , 王斌 , 梁喜双 , 孙鹏 , 刘凤敏 , 孙彦峰 , 高原 , 揣晓红 , 马健 , 王庆凤
- Applicant: 吉林大学
- Applicant Address: 吉林省长春市前进大街2699号
- Assignee: 吉林大学
- Current Assignee: 吉林大学
- Current Assignee Address: 吉林省长春市前进大街2699号
- Agency: 长春吉大专利代理有限责任公司
- Agent 刘世纯; 王恩远
- Main IPC: G01N27/12
- IPC: G01N27/12

Abstract:
一种以SnO2为敏感电极材料的YSZ基混成电位型NH3传感器及其制备方法,属于气体传感器技术领域。依次由带有Pt加热电极的Al2O3陶瓷板、YSZ基板、条状结构的Pt参考电极和SnO2敏感电极组成;在YSZ基板上表面的部分区域构筑有金纳米颗粒阵列结构,在该阵列结构上制备SnO2敏感电极;在YSZ基板上表面没有构筑金纳米颗粒阵列结构的区域上制备Pt参考电极;YSZ基板下表面与带有Pt加热电极的Al2O3陶瓷板粘结在一起。本发明以YSZ作为离子导电层,利用具有高电化学催化活性的SnO2为敏感电极,并将SnO2敏感电极材料涂敷在构筑有金纳米颗粒阵列结构上,通过金纳米颗粒阵列结构的引入,达到提高敏感特性的目的。
Public/Granted literature
- CN106093142A 以SnO2为敏感电极的YSZ基混成电位型NH3传感器及其制备方法 Public/Granted day:2016-11-09
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