发明授权
- 专利标题： 用于半导体制造的改进的接触件
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申请号： CN201510055849.3申请日： 2015-02-03
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公开(公告)号： CN105990280B公开(公告)日： 2019-04-12
- 发明人: 廖忠志
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权： 14/516,278 2014.10.16 US
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L21/768 ; H01L27/11
摘要：
一种半导体器件包括：衬底；位于衬底上的鳍结构，该鳍结构包括掺杂区域；位于鳍结构上方的第一栅极，第一栅极邻近掺杂区域放置，第一栅极在第一侧上具有间隔件并且在栅极与掺杂区域之间的第二侧上没有间隔件；以及接触掺杂区域和栅极的顶部的导电插塞。本发明涉及用于半导体制造的改进的接触件。
公开/授权文献
- CN105990280A 用于半导体制造的改进的接触件 公开/授权日：2016-10-05
IPC分类:
