一种六方氮化硼薄膜的转移方法
Abstract:
本发明公开了一种六方氮化硼薄膜的转移方法,现有的化学气相沉积法(CVD)制备的二维(2D)原子层材料,通常是长在金属催化剂表面上的,然后用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作辅助,将2D材料转移到目标基底上,最后用有机溶剂去除PMMA。但是有机溶剂难以完全去除PMMA,会有部分残留在2D材料表面,造成污染,即使高温氧化或气氛还原也无法将其完全清除。本专利在被转移的2D材料六方氮化硼和PMMA之间引入中间层,在实现六方氮化硼向基底转移的同时避免了PMMA对六方氮化硼的表面污染。
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