Invention Grant
- Patent Title: 一种六方氮化硼薄膜的转移方法
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Application No.: CN201610283359.3Application Date: 2016-04-29
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Publication No.: CN105908152BPublication Date: 2018-09-25
- Inventor: 赵士超 , 金圣忠 , 张琪 , 吴斌 , 吕燕飞
- Applicant: 杭州电子科技大学
- Applicant Address: 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
- Assignee: 杭州电子科技大学
- Current Assignee: 惠州市云德新材料有限公司
- Current Assignee Address: 516127 广东省惠州市博罗县石湾镇黄西村管理区埔心上龙船夫
- Agency: 杭州君度专利代理事务所
- Agent 杜军
- Main IPC: C23C16/56
- IPC: C23C16/56 ; C23C16/34 ; C23C16/40 ; C23C16/01

Abstract:
本发明公开了一种六方氮化硼薄膜的转移方法,现有的化学气相沉积法(CVD)制备的二维(2D)原子层材料,通常是长在金属催化剂表面上的,然后用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作辅助,将2D材料转移到目标基底上,最后用有机溶剂去除PMMA。但是有机溶剂难以完全去除PMMA,会有部分残留在2D材料表面,造成污染,即使高温氧化或气氛还原也无法将其完全清除。本专利在被转移的2D材料六方氮化硼和PMMA之间引入中间层,在实现六方氮化硼向基底转移的同时避免了PMMA对六方氮化硼的表面污染。
Public/Granted literature
- CN105908152A 一种六方氮化硼薄膜的转移方法 Public/Granted day:2016-08-31
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