本发明公开了一种带反偏置纳米结的场致电子发射器件结构，该器件结构由发射体和电极构成；所述发射体由两段一维纳米材料组成，其一段为用于发射电子的N型掺杂半导体，另一段为P型掺杂半导体，或者是能与所述N型掺杂半导体形成肖特基接触的金属；所述两段一维纳米材料接触形成PN结或肖特基结，所述PN结或肖特基结突出于衬底表面；该器件结构的反偏置纳米结具有限流效应，可抑制场发射电流波动，同时电极施加的电场在纳米结结区的贯穿效应使纳米结的电阻随电场的增大而减小，提高发射体的耐压（耐流）能力，改善器件的可靠性并减弱由于结电阻压降而导致的驱动电压过高及功耗过大的问题，且有利于提高阵列中发射体场发射特性的均匀性。