发明授权
- 专利标题: 具有自填充阳性特征的多芯片模块
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申请号: CN201480014639.3申请日: 2014-02-20
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公开(公告)号: CN105144359B公开(公告)日: 2018-09-04
- 发明人: H·D·塞科 , A·V·克里什纳莫西 , J·E·坎宁安 , 张朝齐
- 申请人: 甲骨文国际公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚
- 专利权人: 甲骨文国际公司
- 当前专利权人: 甲骨文国际公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 边海梅
- 优先权: 13/838,602 2013.03.15 US
- 国际申请: PCT/US2014/017389 2014.02.20
- 国际公布: WO2014/149338 EN 2014.09.25
- 进入国家日期: 2015-09-14
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L23/485 ; H01L23/29 ; H01L23/31 ; B23K3/06 ; H01L21/02 ; H01L25/065 ; H01L21/56 ; H01L21/683

摘要:
描述了多芯片模块(MCM)。这种MCM包括至少两个基板,其中基板通过基板的面对的表面上的阳性特征和阴性特征机械耦合并对准。这些阳性特征和阴性特征可以彼此配对并自锁定。阳性特征可以利用阴性特征中的亲水层自填充到至少一个基板上的阴性特征中。这种亲水层可以结合包围至少一个基板的顶表面上的阴性特征的疏水层来使用。
公开/授权文献
- CN105144359A 具有自填充阳性特征的多芯片模块 公开/授权日:2015-12-09
IPC分类: