发明授权
- 专利标题： 制造纳米结构半导体发光器件的方法
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申请号： CN201480011240.X申请日： 2014-01-28
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公开(公告)号： CN105009309B公开(公告)日： 2017-12-05
- 发明人: 车南求 , 柳建旭 , 成汉珪
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 张帆; 张青
- 优先权： 10-2013-0010110 2013.01.29 KR
- 国际申请： PCT/KR2014/000811 2014.01.28
- 国际公布： WO2014/119910 KO 2014.08.07
- 进入国家日期： 2015-08-28
- 主分类号： H01L33/20
- IPC分类号： H01L33/20 ; H01L33/04 ; H01L33/08
摘要：
本发明的一方面提供了一种用于制造纳米结构半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：提供由第一导电类型的半导体形成的基层；在基层上形成包括蚀刻停止层的掩模；在掩模上形成多个开口，多个开口暴露出基层的多个区域；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体来形成多个纳米核，以填充多个开口；利用蚀刻停止层部分地去除掩模，以暴露出多个纳米核的侧部；以及在所述多个纳米核的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层。
公开/授权文献
- CN105009309A 制造纳米结构半导体发光器件的方法 公开/授权日：2015-10-28
IPC分类:
