发明授权
CN104726933B 用于晶碇铸造炉的冷却装置及铸造晶碇的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于晶碇铸造炉的冷却装置及铸造晶碇的方法
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申请号: CN201410668760.X申请日: 2014-11-21
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公开(公告)号: CN104726933B公开(公告)日: 2017-06-20
- 发明人: 程皖筠 , 许堉程 , 张志干 , 詹孔维 , 张仲升 , 杨瑜民 , 余文怀 , 许松林 , 李依晴 , 徐文庆
- 申请人: 昆山中辰矽晶有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市昆山市开发区高科技工业园汉浦路303号
- 专利权人: 昆山中辰矽晶有限公司
- 当前专利权人: 昆山中辰矽晶有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市昆山市开发区高科技工业园汉浦路303号
- 代理机构: 上海翼胜专利商标事务所
- 代理商 翟羽
- 优先权: 102147552 20131220 TW
- 主分类号: C30B28/06
- IPC分类号: C30B28/06 ; C30B29/06
摘要:
本发明提供一种用于晶碇铸造炉的冷却装置及铸造晶碇的方法,所述晶碇铸造炉包括有一坩埚,所述坩埚供放置晶种及固态的硅原料,所述冷却装置设置于所述坩埚下方,包含有一基座,其上设有至少一个冷却槽与至少一供流体通过的通道,所述冷却槽对应所述坩埚底部的角落区域,所述通道连通所述冷却槽与所述基座外部。所述铸造晶碇的方法在硅原料熔化的阶段注入流体至所述基座上的通道中,使流体对所述坩埚底面的角落区域进行冷却,以带走过多的热能,以避免位于坩埚角落区域的晶种完全熔化。
公开/授权文献
- CN104726933A 用于晶碇铸造炉的冷却装置及铸造晶碇的方法 公开/授权日:2015-06-24
IPC分类: