发明授权
- 专利标题: 半导体装置的制造方法
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申请号: CN201410444315.5申请日: 2014-09-03
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公开(公告)号: CN104716051B公开(公告)日: 2018-01-02
- 发明人: 渡部武志 , 井本孝志 , 高野勇佑 , 本间庄一 , 涩谷克则
- 申请人: 东芝存储器株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人: 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张世俊
- 优先权: 2013-258660 2013.12.13 JP
- 主分类号: H01L21/56
- IPC分类号: H01L21/56
摘要:
本发明提供一种具备对于树脂密封面具有良好的密接性的半导体装置的制造方法。将多个半导体元件搭载于配线基板。使用密封树脂将配线基板的搭载着半导体元件的面与多个半导体元件密封。切断被密封的配线基板,分离成各个半导体装置。加热分离后的半导体装置。于加热后的半导体装置的密封树脂表面与配线基板的切断面,通过金属溅镀形成屏蔽层。
公开/授权文献
- CN104716051A 半导体装置的制造方法 公开/授权日:2015-06-17
IPC分类: