本发明公开了一种或非门闪存存储器，包括：基底，在第一方向上开有深隔离槽，在第二方向上开有浅隔离槽，所述深隔离槽的深度大于所述浅隔离槽的深度；氧化层，位于深隔离槽内；沟道区，位于浅隔离槽内；隧穿氧化层，位于沟道区之上；浮栅层，位于隧穿氧化层之上；控制栅层，位于浮栅层之上；层间介电质层，位于浮栅层和控制栅层之间；薄膜层；依次位于控制栅层之上的合金层、氮化硅层；源极；漏极；第一金属层，位于源极和漏极之上；第二金属层，位于漏极之上的第一金属层之上；隔离层。本发明所述的或非门闪存存储器的浮栅埋入基底内，能够使得在平面尺寸不变的条件下将隔离槽长度增加，满足器件运行需要，进而能够微缩至45纳米以下。