发明授权
- 专利标题： 具有含宽带隙半导体材料的发射极区域的太阳能电池
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申请号： CN201280071731.4申请日： 2012-12-19
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公开(公告)号： CN104396024B公开(公告)日： 2017-03-29
- 发明人: 理查德·M·斯万森 , 马里乌斯·M·布内亚 , 大卫·D·史密斯 , 沈于甄 , 彼得·J·卡曾斯 , 蒂姆·丹尼斯
- 申请人： 太阳能公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 太阳能公司
- 当前专利权人： 迈可晟太阳能有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理商 陈源; 顾丽波
- 优先权： 13/429,138 2012.03.23 US
- 国际申请： PCT/US2012/070711 2012.12.19
- 国际公布： WO2013/141917 EN 2013.09.26
- 进入国家日期： 2014-09-23
- 主分类号： H01L31/068
- IPC分类号： H01L31/068 ; H01L31/072 ; H01L31/0745 ; H01L31/0747 ; H01L31/18 ; H01L31/0216
摘要：
本发明描述了具有由宽带隙半导体材料构成的发射极区域的太阳能电池。在一个实例中，一种方法包括在具有受控气氛的处理设备中，在所述太阳能电池的半导体基板的表面上形成薄电介质层。所述半导体基板具有带隙。在不将所述半导体基板从所述处理设备的受控气氛中移除的情况下，在所述薄电介质层上形成半导体层。所述半导体层具有比所述半导体基板的带隙高至少约0.2电子伏特(eV)的带隙。
公开/授权文献
- CN104396024A 具有含宽带隙半导体材料的发射极区域的太阳能电池 公开/授权日：2015-03-04
IPC分类:
