本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：顶部圆角刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在基片的位于掩膜与基片交界处刻蚀形成侧壁顶部具有圆角的沟槽；基片刻蚀步骤，继续向反应腔室内通入刻蚀气体，并保持激励电源和偏压电源开启，或者仅关闭偏压电源，以使沟槽达到预定深度；其中，刻蚀气体为碳氟类或碳氢氟类气体中的至少一种气体、氧气以及不含碳和氢的氟类气体的混合气体。本发明提供的基片刻蚀方法，其不仅可以获得顶部具有圆滑圆角的、倾斜的侧壁形貌，而且可以提高刻蚀深度和刻蚀速率。