发明授权
- 专利标题: 在化学气相沉积反应器中用于配气的系统和方法
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申请号: CN201410532387.5申请日: 2009-03-26
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公开(公告)号: CN104357807B公开(公告)日: 2019-06-28
- 发明人: 秦文军
- 申请人: OCI有限公司
- 申请人地址: 韩国首尔
- 专利权人: OCI有限公司
- 当前专利权人: OCI有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国首尔
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 蔡胜有; 顾晋伟
- 优先权: 61/039,758 2008.03.26 US
- 主分类号: C23C16/455
- IPC分类号: C23C16/455 ; C23C16/24
摘要:
本发明提供在反应器中通过化学气相沉积制造多晶硅或另一材料的系统和方法,其中利用硅竖管来分配气体。硅竖管可经由喷嘴耦合器接附到反应器系统,使得先质气体(precursor gases)可注射到反应室的不同部份。结果,可改良在整个反应室内的气体流动,这能够增加多晶硅的产率、改善多晶硅的质量和降低能量消耗。
公开/授权文献
- CN104357807A 在化学气相沉积反应器中用于配气的系统和方法 公开/授权日:2015-02-18
IPC分类: