发明授权
- 专利标题: 两个电容还补偿了相位裕度以防止震荡的发生。一种带有直流偏置转换结构的CMOS上变频电路
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申请号: CN201410531130.8申请日: 2014-10-10
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公开(公告)号: CN104333330B公开(公告)日: 2017-03-29
- 发明人: 张铁笛 , 王磊 , 邹盼希 , 徐锐敏
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都宏顺专利代理事务所
- 代理商 周永宏
- 主分类号: H03D7/16
- IPC分类号: H03D7/16
摘要:
本发明公开了一种带有直流偏置转换结构的CMOS上变频电路,该电路对传统的上变频电路置一种直流偏置转换电路,直流偏置转换电路包括MOS管十二个,电容两个,电阻一个,其中,第一至第三MOS管和第十至第十二MOS管分别为相应MOS管提供电流偏置,第六、第七MOS管构成共源放大器,第八、第九MOS管构成源极跟随器,第四、第五MOS管构成信号输出电路,其栅极作为直流偏置转换电路的输出端与上变频电路的输入端相连。本发明通过共源放大对低频的中频信号进行电流转换,并且通过源极跟随的方式进行直流偏置的搬移,这种方案解决了传统混频器与前端DAC之间的偏置难以协调的矛盾,另外,电路中的
公开/授权文献
- CN104333330A 一种带有直流偏置转换结构的CMOS上变频电路 公开/授权日:2015-02-04
IPC分类: