-
公开(公告)号：CN113690323B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111061086.5
申请日：2021-09-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜工艺的无衬底单台面肖特基二极管，包括支撑薄膜和嵌入支撑薄膜内的肖特基二极管；肖特基二极管包括位于两端的阳极传输金属和阴极传输金属，阴极传输金属下方设有阴极台面，阳极传输金属通过金属指与阴极台面形成肖基特接触。本发明以薄膜支撑整个二极管结构，去除衬底和阳极台面，并最大限度增加阴阳极传输金属的距离，大幅度降低了寄生的影响。本发明提出的结构具有成本低、易于实现等特点，在太赫兹固态电路，尤其是频率高于0.5THz的太赫兹单片集成电路中具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN116365194A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310337416.1
申请日：2023-03-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种输出相位及中心频率连续可调的单刀双掷滤波开关，包括第一信号通道和第二信号通道，谐振器一、谐振器二、谐振器三、谐振器四之间相互耦合构成第一信号通道，谐振器一、谐振器二、谐振器五、谐振器六之间相互耦合构成第二信号通道，其中谐振器一、谐振器二、谐振器三、谐振器四、谐振器五和谐振器六连接有调频模块，其谐振频率单独可调，各通道的相邻谐振器之间连接有内部耦合调整模块，内部耦合调整模块可以电调节谐振器间的内部耦合系数。本发明实现了移相器、带通滤波器以及单刀双掷开关的高度集成，可有效缩减电路面积，降低系统成本与损耗。
-
公开(公告)号：CN112909471B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110047178.1
申请日：2021-01-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开一种高隔离度的矩形波导‑微带功分器，应用于微波器件领域，针对现有的矩形波导与微带线的混合型功率分配器微带分支端口间隔离度较差的问题，本发明的矩形波导其中一窄边作为功分器的输入端，在所述矩形波导两宽边对称设置微带线功分端口，这两个微带线功分端口作为功分器的输出端；矩形波导另一窄边为短路面，所述短路面设有一个微带线隔离端口，作为隔离端；两个微带线功分端口与微带线隔离端口构成T形耦合结构；微带线隔离端口的微带探针与矩形波导中传输的TE10模式电磁波的电场力线方向正交，不与波导信号产生耦合，并且可以吸收两端微带探针的输入信号，从而达到端口隔离的目的。
-
公开(公告)号：CN113690323A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111061086.5
申请日：2021-09-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜工艺的无衬底单台面肖特基二极管，包括支撑薄膜和嵌入支撑薄膜内的肖特基二极管；肖特基二极管包括位于两端的阳极传输金属和阴极传输金属，阴极传输金属下方设有阴极台面，阳极传输金属通过金属指与阴极台面形成肖基特接触。本发明以薄膜支撑整个二极管结构，去除衬底和阳极台面，并最大限度增加阴阳极传输金属的距离，大幅度降低了寄生的影响。本发明提出的结构具有成本低、易于实现等特点，在太赫兹固态电路，尤其是频率高于0.5THz的太赫兹单片集成电路中具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN112909471A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110047178.1
申请日：2021-01-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开一种高隔离度的矩形波导‑微带功分器，应用于微波器件领域，针对现有的矩形波导与微带线的混合型功率分配器微带分支端口间隔离度较差的问题，本发明的矩形波导其中一窄边作为功分器的输入端，在所述矩形波导两宽边对称设置微带线功分端口，这两个微带线功分端口作为功分器的输出端；矩形波导另一窄边为短路面，所述短路面设有一个微带线隔离端口，作为隔离端；两个微带线功分端口与微带线隔离端口构成T形耦合结构；微带线隔离端口的微带探针与矩形波导中传输的TE10模式电磁波的电场力线方向正交，不与波导信号产生耦合，并且可以吸收两端微带探针的输入信号，从而达到端口隔离的目的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112216939A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010950936.6
申请日：2020-09-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明记载了一种滤波器装置及实现滤波功分和双工器功能的方法，用于实现双工器和滤波功分网络功能的切换，双工器功能可实现收或发通带频率独立可调，滤波功分功能通带可重构，所述滤波器装置包括介质基板，介质基板上中心对称设置四个谐振器，相邻谐振器之间通过背靠背串联的变容二极管连接，变容二极管阴极加载电压源，通过改变电压值，达到调节滤波网络谐振器之间的耦合作用，通过改变电压值以及耦合系数，实现滤波功分功能或独立通道可控双工器功能。
-
公开(公告)号：CN107636656B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201680014212.2
申请日：2016-07-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/30
Abstract: 提出一种基于GaN器件等效电路模型的工艺参数分析方法，所述分析方法包括：步骤一：建立GaN器件小信号等效电路模型，提取小信号模型参数；步骤二：建立GaN器件大信号等效电路模型，提取大信号模型参数，即非线性电流源模型参数和非线性电容模型参数；步骤三：以器件的实测微波特性为目标，调谐优化大信号模型参数；步骤四：基于建立的大信号模型提取多批次GaN器件的工艺参数，并对所述工艺参数进行统计分析。上述GaN器件模型的工艺参数的统计分析方法首先建立GaN器件小信号等效电路模型，然后建立工艺参数关联的GaN器件大信号等效电路模型，通过多批次器件建模最终获得工艺参数统计分布，有用于器件成品率分析和工艺参数优化。
-
公开(公告)号：CN109831169A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910179154.4
申请日：2019-03-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于低通滤波器片外补偿的太赫兹放大器芯片结构，该结构包括太赫兹放大器芯片、低通滤波器、芯片电容和直流射频板；所述太赫兹放大器芯片的信号输出板与低通滤波器的输出板通过金丝键合连接，所述低通滤波器的输入板与芯片电容的输出端通过金丝键合连接，所述芯片电容的输入端与直流射频板通过金丝键合连接。本发明利用低通滤波器在太赫兹的高阻性质进行片外补偿，有效防止了太赫兹信号的泄露，提高了太赫兹功放模块的增益，具有结构简单、使用方便、便于推广等优点。
-
公开(公告)号：CN109655970A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201910090345.3
申请日：2019-01-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开一种太赫兹片上集成过渡结构，包括依次连接的：输入端波导、太赫兹芯片电路以及输出端波导；所述输入端波导、输出端波导均由两级波导构成，具体为：第一级标准波导与第二级减高波导；所述输入端波导、输出端波导中的减高波导的末端为短路平面；所述太赫兹芯片电路至少包括：芯片主电路、输入端微带E面探针、输出端微带E面探针；输入端微带E面探针伸入所述输入端波导中的减高波导内；输出端微带E面探针伸入所述输出端波导中的减高波导内；所述输入端微带E面探针与输出端微带E面探针还与芯片主电路相连；本发明的过渡结构实现了标准波导到太赫兹芯片的过渡，减小了电路的尺寸，提高了传输效率。
-
公开(公告)号：CN105826646B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201610312777.0
申请日：2016-05-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种多孔矩形波导定向耦合器，包括作为微波主通道的主矩形波导、作为取样信号通道的副矩形波导以及作为耦合通道的耦合孔；主矩形波导的主模H面与副矩形波导的主模H面相互平行；主矩形波导和副矩形波导相互隔离，两者通过沿主矩形波导的轴线排列的耦合孔连通；耦合孔包括关于主矩形波导的宽壁在传输方向的中线对称的第一排耦合孔和第二排耦合孔。本发明所提供的多孔矩形波导定向耦合器，结构简单，易于加工，整个结构只有六个耦合孔，可以直接采用传统工艺在腔体上加工实现。经过仿真测试，其具有较宽的工作带宽和较小的插入损耗。相对于传统的波导耦合器，本发明体积小，结构简单，能方便的集成在高频段的电路中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
143
records
(took 0.022 seconds)
