发明授权
- 专利标题: 一种石墨烯图案的形成方法
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申请号: CN201310224082.3申请日: 2013-06-05
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公开(公告)号: CN104217930B公开(公告)日: 2017-08-25
- 发明人: 卜伟海 , 王文博
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号: H01L21/205
- IPC分类号: H01L21/205
摘要:
本发明提供一种石墨烯图案的形成方法,包括:在基底上形成掩蔽层,在所述基底上形成掩蔽层,所述掩蔽层内具有暴露所述基底表面的开口;在所述开口内的基底表面形成石墨烯层。其中,本发明中直接在基底表面形成石墨烯层的方式,可确保形成的石墨烯图案在基底上的精确定位;以掩蔽层的开口内形成石墨烯层的方式,可以掩蔽层的开口图形限定后续在所述基底裸露表面形成的石墨烯图案的结构,避免了对于石墨烯层进一步刻蚀,进而避免形成的石墨烯层因刻蚀而造成的质量缺陷。采用本发明可获取图案精确,质量优异的石墨烯图案。
公开/授权文献
- CN104217930A 一种石墨烯图案的形成方法 公开/授权日:2014-12-17
IPC分类: