发明授权
- 专利标题： 非易失性半导体存储装置
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申请号： CN201380012560.2申请日： 2013-02-26
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公开(公告)号： CN104160450B公开(公告)日： 2017-06-09
- 发明人: 河野和幸 , 上田孝典
- 申请人： 松下知识产权经营株式会社
- 申请人地址： 日本国大阪府
- 专利权人： 松下知识产权经营株式会社
- 当前专利权人： 松下半导体解决方案株式会社
- 当前专利权人地址： 日本国大阪府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 韩聪
- 优先权： 2012-050135 20120307 JP
- 国际申请： PCT/JP2013/001103 2013.02.26
- 国际公布： WO2013/132781 JA 2013.09.12
- 进入国家日期： 2014-09-04
- 主分类号： G11C13/00
- IPC分类号： G11C13/00 ; G11C11/15
摘要：
非易失性半导体存储装置具备：被串联连接的多个固定电阻元件(R)；多个基准单元晶体管(T)；与多个基准单元晶体管(T)的栅极连接的基准字线(RWL)；与配置了多个固定电阻元件(R)的电阻路径的一端连接的第1基准数据线(RBL)；和与多个基准单元晶体管(T)的一端公共地连接的第2基准数据线(RSL)，多个基准单元晶体管(T)的另一端与固定电阻元件(R)之间的任意一个或者电阻路径的另一端连接。
公开/授权文献
- CN104160450A 非易失性半导体存储装置 公开/授权日：2014-11-19
