发明公开
- 专利标题: 一种红外发光二极管
- 专利标题(英): Infrared light-emitting diode
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申请号: CN201410216057.5申请日: 2014-05-21
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公开(公告)号: CN104078552A公开(公告)日: 2014-10-01
- 发明人: 施光典
- 申请人: 深圳莱特光电有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市宝安区公明镇马山头村第五工业区95栋
- 专利权人: 深圳莱特光电有限公司
- 当前专利权人: 深圳莱特光电股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市宝安区公明镇马山头村第五工业区95栋
- 代理机构: 广州市华学知识产权代理有限公司
- 代理商 蒋剑明
- 主分类号: H01L33/48
- IPC分类号: H01L33/48 ; H01L33/56 ; H01L33/58 ; H01L33/64 ; H01L23/552 ; H01L33/50
摘要:
本发明公开了一种红外发光二极管,包括发光芯片、第一支脚、第二支脚、杯体、封装体和金线,所述杯体的一端部为平面结构,所述发光芯片固定于所述平面结构上,所述发光芯片上方覆盖有电磁屏蔽盖,所述电磁屏蔽盖的底部通过导电胶与所述平面结构连接;所述封装体为由硅质体与玻璃体进行键合形成的密封腔体,所述玻璃体向密封腔体凸起形成球面微腔结构,所述发光芯片与所述球面微腔结构校正对准。本发明提供的红外发光二极管发光均匀且聚光性能优。
公开/授权文献
- CN104078552B 一种红外发光二极管 公开/授权日:2017-01-25
IPC分类: