本发明公开了一种金属硅化钨栅极工艺中多晶硅电阻的制造方法，包括步骤：生长多晶硅层；进行全面的第一次离子注入，使多晶硅层的电阻值为后续形成的多晶硅电阻的电阻值；采用第二次离子注入工艺对栅极多晶硅的形成区域的多晶硅层进行掺杂；在多晶硅层表面形成层氧化层；采用光刻刻蚀工艺将多晶硅电阻的形成区域外的所述氧化层去除；生长金属硅化钨；采用光刻工艺用光刻胶同时定义出栅极和多晶硅电阻的接触端的形成区域；以光刻胶为掩模依次对金属硅化钨和多晶硅层进行刻蚀同时形成栅极、多晶硅电阻和接触端；形成金属接触孔。本发明能降低多晶硅电阻的接触孔电阻、提高多晶硅电阻的面内均匀性以及提高多晶硅电阻精度。