发明授权
- 专利标题: 半导体装置
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申请号: CN201280042417.3申请日: 2012-08-22
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公开(公告)号: CN103765776B公开(公告)日: 2016-11-09
- 发明人: 小山润
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县厚木市
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县厚木市
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 叶晓勇; 王忠忠
- 优先权: 2011-185614 2011.08.29 JP
- 国际申请: PCT/JP2012/071754 2012.08.22
- 国际公布: WO2013/031793 EN 2013.03.07
- 进入国家日期: 2014-02-28
- 主分类号: H03K3/356
- IPC分类号: H03K3/356 ; G02F1/133 ; H01L29/786
摘要:
一种包括具有相同极性晶体管的半导体装置功耗低且能够防止输出的电位的幅度变小。该半导体装置,包括:具有第一电位的第一布线;具有第二电位的第二布线;具有第三电位的第三布线;具有相同极性的第一晶体管及第二晶体管;以及用来选择是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第一电位还是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第三电位以及用来选择是否对第一晶体管及第二晶体管的漏极端子供应一个电位的多个第三晶体管。第一晶体管的源极端子与第二布线连接,并且第二晶体管的源极端子与第三布线连接。
公开/授权文献
- CN103765776A 半导体装置 公开/授权日:2014-04-30
IPC分类: