本发明公开了一种改善硅片翘曲度的深沟槽制造方法，包括如下步骤：⑴在硅片上利用光刻掩膜版曝出硅片上所有结构单元的深沟槽图形；所述的单个结构单元内的深沟槽图形是旋转对称图形；所述硅片上所有结构单元排列也是旋转对称的；⑵采用干法刻蚀工艺制作指定的深度和特征尺寸的深沟槽；⑶对深沟槽进行填充。本发明通过改变深沟槽图形的形状，采用具有旋转对称性的图形或组合图形，保证硅片在对称的方向上的接触界面面积基本相等，从而保证硅片上各个方向的应力对称分布，确保不会在某一个方向上的应力过大。这种方法能够使得硅片各个方向的翘曲度比较均匀，从而极大地改善硅片的翘曲度。