本发明涉及一种半导体器件双外延层的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上至少包含第一栅极和第二栅极；在所述半导体衬底上形成外延阻挡层；蚀刻去除所述第一栅极以及两侧源漏区上的外延阻挡层，露出所述半导体衬底，并在所述第一栅极两侧的源漏区外延生长第一半导体材料层，形成第一抬升源漏；蚀刻去除剩余的所述外延阻挡层，在所述第二栅极两侧的源漏区形成第二抬升源漏，其中，所述第二半导体材料层与第一半导体材料层具有高的蚀刻选择比；在所述第二栅极以及第二抬升源漏上沉积掩膜材料层；蚀刻去除所述第一抬升源漏上的第二半导体材料层；去除所述掩膜材料层。本发明所述方法更加简单、高效。