发明授权
CN103620748B 保留替代栅极晶体管制造中的UV固化的应力益处
失效 - 权利终止
- 专利标题： 保留替代栅极晶体管制造中的UV固化的应力益处
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申请号： CN201280022389.9申请日： 2012-02-24
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公开(公告)号： CN103620748B公开(公告)日： 2016-06-22
- 发明人: 叶俊呈 , 郭德超 , 蔡明 , P·库尔卡尼
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 贺月娇; 于静
- 优先权： 13/103,149 2011.05.09 US
- 国际申请： PCT/IB2012/050847 2012.02.24
- 国际公布： WO2012/153201 EN 2012.11.15
- 进入国家日期： 2013-11-08
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/8238 ; H01L29/78
摘要：
一种形成半导体结构的方法包括：在设置于衬底之上的一个或多个部分完成的场效应晶体管（FET）器件之上形成应力诱导层，所述一个或多个部分完成的FET器件包括牺牲伪栅极结构；对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构；以及在对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构之后，进行对所述应力诱导层的紫外（UV）固化，以增强由所述应力诱导层最初施加在所述一个或多个部分完成的FET器件的沟道区上的应力的值。
公开/授权文献
- CN103620748A 保留替代栅极晶体管制造中的UV固化的应力益处 公开/授权日：2014-03-05
IPC分类:
