发明授权
- 专利标题: 平行金属互连结构的形成方法
-
申请号: CN201210254239.2申请日: 2012-07-20
-
公开(公告)号: CN103579084B公开(公告)日: 2016-11-30
- 发明人: 张海洋 , 胡敏达 , 张城龙
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768
摘要:
一种平行金属互连结构的形成方法,包括:提供基底,在基底上形成若干平行的牺牲栅极;在牺牲栅极的四周侧壁形成侧墙;在基底上形成介质层,介质层覆盖牺牲栅极和侧墙;化学机械研磨介质层,并过研磨去除部分厚度的牺牲栅极和侧墙;去除剩余的侧墙,形成环绕牺牲栅极的凹槽;在凹槽中填充满金属,形成金属侧墙;形成覆盖介质层、牺牲栅极和金属侧墙表面的硬掩膜层,所述硬掩膜层具有第一开口和第二开口,第一开口和第二开口暴露牺牲栅极两端的沿宽度方向分布的金属侧墙;沿第一开口和第二开口刻蚀去除的暴露的金属侧墙,剩余的金属侧墙构成平行的金属互连结构。提高了金属互连结构本身宽度和相邻金属互连结构之间间距的精度。
公开/授权文献
- CN103579084A 平行金属互连结构的形成方法 公开/授权日:2014-02-12
IPC分类: