- 专利标题: 带有复数个具有分段式贯通硅通路的堆叠有源芯片的微电子组件
- 专利标题(英): Microelectronic assembly with plural stacked active chips having through - silicon vias formed in stages
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申请号: CN201180066155.X申请日: 2011-03-23
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公开(公告)号: CN103329264A公开(公告)日: 2013-09-25
- 发明人: 瓦格.奥甘赛安 , 贝勒卡西姆.哈巴 , 伊利亚斯.默罕默德 , 克雷格.米切尔 , 皮尤什.萨瓦利亚
- 申请人: 德塞拉股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州圣荷西市奥卓公园路3025号
- 专利权人: 德塞拉股份有限公司
- 当前专利权人: 德塞拉股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州圣荷西市奥卓公园路3025号
- 代理机构: 珠海智专专利商标代理有限公司
- 代理商 段淑华; 刘曾剑
- 优先权: 61/419,037 2010.12.02 US; 13/051,414 2011.03.18 US
- 国际申请: PCT/US2011/029568 2011.03.23
- 国际公布: WO2012/074571 EN 2012.06.07
- 进入国家日期: 2013-07-26
- 主分类号: H01L23/48
- IPC分类号: H01L23/48 ; H01L25/065
摘要:
提供了微电子组件(100),其中分别在第一微电子元件(110)和第二微电子元件(102)的正面暴露的第一导电垫(108)与第二导电垫(106)并置,每个微电子元件都包含有源半导体器件。导电元件(114)可在第一开口(111)、第二开口(113)和第三开口(180)内延伸,第一开口(111)从第一微电子元件(110)的背面(118)朝着其正面(103)延伸,第二开口(113)从第一开口(111)朝着第一微电子元件(110)的正面(103)延伸,第三开口(180)穿过第一垫(108)和第二垫(106)中至少一个而延伸,以与第一垫及第二垫接触。第一开口(111)和第二开口(113)的内表面(121、123)可相对于第一微电子元件(110)的正面(103)分别沿第一方向和第二方向延伸,以限定明显的角度。
公开/授权文献
- CN103329264B 带有复数个具有分段式贯通硅通路的堆叠有源芯片的微电子组件 公开/授权日:2016-09-07
IPC分类: