• 专利标题: 多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法、以及多晶硅铸锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末及含有该粉末的浆料
  • 专利标题(英): Polycrystalline silicon ingot casting mold and method for producing same, and silicon nitride powder for mold release material for polycrystalline silicon ingot casting mold and slurry containing same
  • 申请号: CN201180062854.7
    申请日: 2011-07-27
  • 公开(公告)号: CN103269975B
    公开(公告)日: 2015-06-10
  • 发明人: 山尾猛本田道夫治田慎辅
  • 申请人: 宇部兴产株式会社
  • 申请人地址: 日本山口县
  • 专利权人: 宇部兴产株式会社
  • 当前专利权人: 宇部兴产株式会社
  • 当前专利权人地址: 日本山口县
  • 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
  • 代理商 庞东成; 褚瑶杨
  • 优先权: 2010-293060 2010.12.28 JP
  • 国际申请: PCT/JP2011/067107 2011.07.27
  • 国际公布: WO2012/090541 JA 2012.07.05
  • 进入国家日期: 2013-06-26
  • 主分类号: C01B33/02
  • IPC分类号: C01B33/02 B22C1/00 B22C3/00 C01B21/068
多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法、以及多晶硅铸锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末及含有该粉末的浆料
摘要:
本发明提供多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法、以及多晶硅铸锭铸造用铸模的脱膜材料用氮化硅粉末及含有该粉末的浆料,由此可以抑制硅铸锭和铸模表面的粘固,抑制在对凝固的硅铸锭进行脱模时发生缺损、破损,以高成品率得到高品质的硅铸锭。本发明为一种具有脱模层的多晶硅铸锭铸造用铸模的制造方法,其特征在于,具备浆料形成工序,以重量比例计,将平均短轴粒径为0.6μm~13μm的氮化硅粉末(A)和平均短轴粒径为0.1μm~0.3μm的氮化硅粉末(B)按照5:5~9:1混配得到氮化硅粉末,将所述氮化硅粉末在水中混合而形成浆料;浆料涂布工序,将所述浆料涂布于铸模表面;加热工序,在所述浆料涂布工序之后,在含氧的气氛下以800℃~1200℃对铸模进行加热。
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