发明公开
- 专利标题: 半导体结构及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor structure and manufacturing method thereof
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申请号: CN201210021446.3申请日: 2012-01-31
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公开(公告)号: CN103227171A公开(公告)日: 2013-07-31
- 发明人: 陈建志 , 陈立凡 , 林正基 , 连士进 , 吴锡垣
- 申请人: 旺宏电子股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 专利权人: 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人: 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 周国城
- 主分类号: H01L27/02
- IPC分类号: H01L27/02 ; H01L21/822
摘要:
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第一导电结构与第二导电结构。第一掺杂区包括第一接触区。第一掺杂区与第一接触区具有第一导电型。第二掺杂区包括第二接触区。第二掺杂区与第二接触区具有相反于第一导电型的第二导电型。第一掺杂区是邻近第二掺杂区。
公开/授权文献
- CN103227171B 半导体结构及其制造方法 公开/授权日:2016-01-13
IPC分类: