发明公开
- 专利标题: 磁阻感测装置及其磁阻感测元件
- 专利标题(英): Magnetoresistive sensing device
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申请号: CN201310007670.1申请日: 2013-01-09
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公开(公告)号: CN103197266A公开(公告)日: 2013-07-10
- 发明人: 李乾铭 , 刘富台 , 汪大镛
- 申请人: 宇能电科技股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹县竹北市台元1街1号6楼之1
- 专利权人: 宇能电科技股份有限公司
- 当前专利权人: 宇能电(开曼)科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹县竹北市台元1街1号6楼之1
- 代理机构: 上海波拓知识产权代理有限公司
- 代理商 杨波
- 优先权: 101100799 2012.01.09 TW; 101146943 2012.12.12 TW
- 主分类号: G01R33/09
- IPC分类号: G01R33/09
摘要:
一种磁阻感测装置及其磁阻感测元件,该磁阻感测元件包括基材、磁性层、第一电极以及第二电极。基材具有一个基准平面,其中第一电极和第二电极均位于基准平面上方。磁性层位于基准平面上,并与基准平面夹一个非平角,且具有一个磁化方向以及一个用来导通第一电极与第二电极的电流导通路径,其中此一电流导通路径与磁化方向夹一个角度。
公开/授权文献
- CN103197266B 磁阻感测装置及其磁阻感测元件 公开/授权日:2015-02-18