发明授权
- 专利标题： 半导体器件的制造方法
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申请号： CN201110335709.3申请日： 2011-10-29
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公开(公告)号： CN103094183B公开(公告)日： 2015-07-29
- 发明人: 鲍宇
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 屈蘅; 李时云
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768
摘要：
本发明提供一种半导体器件的制造方法，通过在半导体衬底上形成阻挡层和至少一个牺牲结构并覆盖牺牲罩层；刻蚀形成牺牲侧墙并去除所述牺牲结构；形成介质层和金属互连线后去除所述牺牲侧墙，从而在介质层中形成气腔间隙。所述牺牲结构的宽度可以控制在小范围内，则形成的气腔间隙之间的距离尺寸缩小到小范围内，同时可以提高体积中气腔间隙的数量，从而达到半导体器件尺寸不断缩小的要求，进一步减小介电常数，提高半导体器件的性能。
公开/授权文献
- CN103094183A 半导体器件的制造方法 公开/授权日：2013-05-08
IPC分类:
