发明授权
- 专利标题： 半导体器件结构及其制作方法
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申请号： CN201110198180.5申请日： 2011-07-15
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公开(公告)号： CN102881634B公开(公告)日： 2014-10-29
- 发明人: 钟汇才 , 梁擎擎 , 尹海洲
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 倪斌
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/8238 ; H01L27/092
摘要：
本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法。该方法包括：在半导体衬底上形成至少一条连续的栅极线；绕所述栅极线形成栅极侧墙；在所述栅极线的两侧，在所述半导体衬底中形成源/漏区；绕所述栅极侧墙的外侧形成导电侧墙；以及在预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅极，被隔离的导电侧墙部分形成相应单元器件的接触部。本发明的实施例特别适用于集成电路中接触部的制造。
公开/授权文献
- CN102881634A 半导体器件结构及其制作方法 公开/授权日：2013-01-16
IPC分类:
