含铁电层的GaN基增强型器件，涉及微电子技术领域。本发明包括AlGaN/GaN/Al2O3半导体异质结构衬底，在衬底上设置有ZnO缓冲层和外延LiNbO3型铁电薄膜层，ZnO缓冲层设置于衬底和外延LiNbO3型铁电薄膜层之间；AlGaN以AlxGa1-xN表示，x为Al的摩尔含量，0＜x≤1。本发明通过ZnO缓冲层的引入，所制备的增强型场效应管器件的性能得到大大提高，具体表现在：Ids由97mA/mm增加到203mA/mm，Gm由27mS/mm增加到46mS/mm。本发明将为制备新型的GaN类半导体器件提供了一种良好材料体系设计方案和器件结构。