发明授权
- 专利标题： 成膜装置
-
申请号： CN201110338976.6申请日： 2011-10-31
-
公开(公告)号： CN102543795B公开(公告)日： 2015-09-23
- 发明人: 柿本明修 , 小森克彦 , 长谷部一秀
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 张会华
- 优先权： 2010-243130 2010.10.29 JP; 2011-207962 2011.09.22 JP
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; C23C16/44 ; C23C16/24
摘要：
本发明提供一种成膜装置，其包括用于供给氨基硅烷类气体的供给机构及用于供给不包含氨基的硅烷类气体的供给机构，并且在一个处理室内依次执行下述处理，即，供给氨基硅烷类气体而在具有到达导电体的开孔的绝缘膜的表面及上述开孔的底部的表面上形成晶种层的处理，以及供给不包含氨基的硅烷类气体而在晶种层上形成硅膜的处理。
公开/授权文献
- CN102543795A 成膜装置 公开/授权日：2012-07-04
IPC分类:
