发明授权
- 专利标题: 在硅片正面上形成栅极的方法
- 专利标题(英): Process Of Forming A Grid Electrode On The Front-Side Of A Silicon Wafer
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申请号: CN201080022316.0申请日: 2010-05-20
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公开(公告)号: CN102428567B公开(公告)日: 2015-01-07
- 发明人: R·D·安德森 , K·W·杭 , 高世铭 , G·劳迪辛奥 , 林政男 , 吴隽夔
- 申请人: E.I.内穆尔杜邦公司
- 申请人地址: 美国特拉华州
- 专利权人: E.I.内穆尔杜邦公司
- 当前专利权人: E.I.内穆尔杜邦公司
- 当前专利权人地址: 美国特拉华州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 朱黎明
- 优先权: 61/179,885 2009.05.20 US
- 国际申请: PCT/US2010/035522 2010.05.20
- 国际公布: WO2010/135496 EN 2010.11.25
- 进入国家日期: 2011-11-16
- 主分类号: H01L31/0224
- IPC分类号: H01L31/0224 ; H01B1/16
摘要:
本发明涉及在具有ARC层的硅片上形成正面栅极的方法,所述方法包括以下步骤:(1)印刷并干燥金属浆料A,所述金属浆料A包含具有0.5-8重量%玻璃料的无机成分并且具有烧透能力,其中所述金属浆料A印刷在所述ARC层上以形成底层的薄的平行指状线,(2)在所述底层指状线上印刷并干燥金属浆料B,所述金属浆料B包含具有0.2-3重量%玻璃料的无机成分,其中所述金属浆料B印刷成网格图案,所述网格图案包括:(i)薄的平行指状线,所述薄的平行指状线形成叠加在所述底层指状线上方的顶层指状线以及(ii)与所述指状线以直角相交的母线,以及(3)焙烧所述双面印刷的硅片,其中与所述金属浆料A的无机成分相比,所述金属浆料B的无机成分包含较少的玻璃料和任选存在的其它无机添加剂。
公开/授权文献
- CN102428567A 在硅片正面上形成栅极的方法 公开/授权日:2012-04-25
IPC分类: