本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法，包括步骤：在PNP区域的N型基区的掺杂注入完成后，采用刻蚀工艺对PNP区域的基区的硅表面进行处理，使PNP区域的基区的硅表面的晶格结构被破坏；在NPN区域的N型集电区形成后，在NPN区域和PNP区域同时采用外延生长工艺形成锗硅层。本发明方法通过对PNP区域的基区的硅表面进行刻蚀处理，能使PNP区域的基区的硅表面变成非晶结构，能使后续在PNP区域形成的锗硅层为非晶结构，有利于在对PNP三极管发射区注入离子的扩散，从而能提高PNP三极管的发射区的掺杂浓度，提高器件的发射效率以及器件的放大系统，并能增加器件的截止频率。