发明授权
- 专利标题： 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
- 专利标题（英）： Vertical double-diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET)
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申请号： CN201110351748.2申请日： 2011-11-09
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公开(公告)号： CN102364688B公开(公告)日： 2013-09-25
- 发明人: 张有润 , 张波 , 高云斌 , 刘影
- 申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
- 申请人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人： 电子科技大学,东莞电子科技大学电子信息工程研究院
- 当前专利权人： 电子科技大学,东莞电子科技大学电子信息工程研究院
- 当前专利权人地址： 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构： 成都华典专利事务所
- 代理商 杨保刚; 徐丰
- 主分类号： H01L29/10
- IPC分类号： H01L29/10 ; H01L29/78
摘要：
本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括金属化漏极1、N+衬底2、N-漂移区3、深P体区5、N型重掺杂源区6、P型重掺杂区7、N型埋层沟道8、P型外延层9、栅氧化层10、多晶硅栅电极11和金属化源极12。该垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管在导通时通过两个沟道的共同导电机制，大大减小器件的导通电阻；在阻断时通过P+N结势垒对沟道的电场屏蔽，实现较高的耐压水平，达到1000V以上。
公开/授权文献
- CN102364688A 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 公开/授权日：2012-02-29
IPC分类:
