发明授权
- 专利标题: 制造半导体器件的方法
- 专利标题(英): Method for manufacturing semiconductor device
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申请号: CN201080011089.1申请日: 2010-02-19
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公开(公告)号: CN102349158B公开(公告)日: 2015-05-06
- 发明人: 大原宏树 , 佐佐木俊成
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 刘倜
- 优先权: 2009-058929 2009.03.12 JP; 2009-131059 2009.05.29 JP
- 国际申请: PCT/JP2010/053015 2010.02.19
- 国际公布: WO2010/103935 EN 2010.09.16
- 进入国家日期: 2011-09-09
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; C01G15/00 ; G09F9/30 ; H01L21/28 ; H01L21/316 ; H01L21/336 ; H01L21/363 ; H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L29/417
摘要:
一个目的是设置一种包括具有满意特性的半导体元件的半导体器件。本发明的制造方法包括步骤:在衬底上形成作为栅电极的第一导电层;形成第一绝缘层以覆盖第一导电层;在第一绝缘层上形成半导体层,以使得部分半导体层与第一导电层重叠;形成电连接到半导体层的第二导电层;形成第二绝缘层以覆盖半导体层和第二导电层;形成电连接到第二导电层的第三导电层;在形成半导体层的步骤之后,并且在形成第二绝缘层的步骤之前,执行第一热处理;和在形成第二绝缘层的步骤之后执行第二热处理。
公开/授权文献
- CN102349158A 制造半导体器件的方法 公开/授权日:2012-02-08
IPC分类: