Invention Grant
- Patent Title: 形成倒装芯片互连的原位熔化和回流处理及其系统
- Patent Title (English): In-situ melt and reflow process for forming flip-chip interconnections and system thereof
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Application No.: CN200980153949.2Application Date: 2009-11-09
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Publication No.: CN102272907BPublication Date: 2014-05-14
- Inventor: 周辉星 , 王志坚 , 林建福 , 阿穆兰·赛恩 , 林少雄
- Applicant: 豪锐恩科技私人有限公司
- Applicant Address: 新加坡新加坡市
- Assignee: 豪锐恩科技私人有限公司
- Current Assignee: 豪锐恩科技私人有限公司
- Current Assignee Address: 新加坡新加坡市
- Agency: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
- Agent 余朦; 王艳春
- International Application: PCT/SG2009/000413 2009.11.09
- International Announcement: WO2010/053454 EN 2010.05.14
- Date entered country: 2011-07-06
- Main IPC: H01L21/50
- IPC: H01L21/50 ; H01L21/68 ; H01L21/98 ; B23K1/19 ; H01L21/683 ; B23K101/40
![形成倒装芯片互连的原位熔化和回流处理及其系统](/CN/2009/8/30/images/200980153949.jpg)
Abstract:
一种用于制造倒装芯片半导体封装的方法,该方法包括处理半导体器件(例如半导体芯片)以及处理器件载体(例如衬底)。半导体器件包括在其表面上形成的凸块结构。衬底包括在其表面上形成的焊接焊盘。半导体芯片被加热至芯片处理温度。芯片处理温度使凸块结构上的焊料部分熔化。衬底被加热至衬底处理温度,其中,所述衬底处理温度可以不同于芯片处理温度。半导体芯片在空间上关于衬底进行对准,从而相应地使凸块结构关于焊接焊盘进行对准。半导体芯片朝向衬底移动,从而使凸块结构邻接焊接焊盘,从而在它们之间形成焊接。还公开了执行上述方法的系统。
Public/Granted literature
- CN102272907A 形成倒装芯片互连的原位熔化和回流处理及其系统 Public/Granted day:2011-12-07
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