- 专利标题: 具有防电磁干扰结构的半导体结构与其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor structure having electromagnetic interference resisting structure and method manufacturing same
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申请号: CN201110221312.1申请日: 2011-08-03
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公开(公告)号: CN102254901A公开(公告)日: 2011-11-23
- 发明人: 廖国宪 , 陈子康 , 史馥毓 , 陈建成
- 申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号
- 专利权人: 日月光半导体制造股份有限公司
- 当前专利权人: 日月光半导体制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陆勍
- 优先权: 61/424,318 2010.12.17 US
- 主分类号: H01L23/552
- IPC分类号: H01L23/552 ; H01L23/50 ; H01L21/768
摘要:
半导体结构包括基板单元、半导体组件、导电性接脚、封装体及防电磁干扰膜。基板单元具有接地端、上表面及下表面。半导体组件及导电性接脚设置于邻近基板单元的上表面,封装体包覆半导体组件且具有第一封装上表面、第二封装上表面及封装侧面,第一封装上表面实质上平行于第二封装上表面,且封装侧面连接第一封装上表面与第二封装上表面。防电磁干扰膜包括上部、侧部及支部,上部覆盖封装体的第一封装上表面,支部覆盖封装体的第二封装上表面,而侧部覆盖封装体的封装侧面。导电性接脚连接基板单元的接地端与防电磁干扰膜的侧部。
公开/授权文献
- CN102254901B 具有防电磁干扰结构的半导体结构与其制造方法 公开/授权日:2013-12-25
IPC分类: