发明授权
- 专利标题： 非易失性存储元件及其制造方法
- 专利标题（英）： Nonvolatile memory element and manufacturing method therefor
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申请号： CN200980148805.8申请日： 2009-12-04
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公开(公告)号： CN102239558B公开(公告)日： 2013-07-10
- 发明人: 川岛良男 , 三河巧 , 魏志强 , 姬野敦史
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下半导体解决方案株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 2008-310710 2008.12.05 JP
- 国际申请： PCT/JP2009/006618 2009.12.04
- 国际公布： WO2010/064444 JA 2010.06.10
- 进入国家日期： 2011-06-03
- 主分类号： H01L27/10
- IPC分类号： H01L27/10 ; H01L45/00 ; H01L49/00
摘要：
本发明的非易失性存储元件(10)包括：基板(11)；在基板(11)上按顺序形成的下部电极层(15)和电阻层(16)；在电阻层(16)上形成的电阻变化层(31)；在下部电极层(15)的上方形成的配线层(20)；介于基板(11)与配线层(20)之间，以从配线层(20)到达电阻变化层(31)的方式形成的接触孔(26)且至少覆盖下部电极层(15)和电阻层(16)的层间绝缘层(17)；在接触孔(26)中以与电阻变化层(31)和配线层(20)连接的方式形成的上部电极层(19)，电阻变化层(31)的电阻值通过在下部电极层(15)与上部电极层(19)之间施加电脉冲而可逆地变化。
公开/授权文献
- CN102239558A 非易失性存储元件及其制造方法 公开/授权日：2011-11-09
IPC分类:
