多行引线框架和半导体封装的结构和制造方法
摘要:
本发明涉及多行引线框架和半导体封装的结构和制造方法,所述制造方法的特征在于:在金属材料上形成焊垫部(第一步骤);在第一图案形成之后进行表面电镀加工或有机材料涂布(第二步骤);在所述金属材料上形成第二图案(第三步骤);以及在第二图案形成之后对半导体芯片进行封装(第四步骤),从而通过应用逐步蚀刻使侧蚀现象最小化。
公开/授权文献
0/0