- 专利标题： 使用PN二极管进行高速硅光调制的方法和设备
- 专利标题（英）： Method and apparatus for high speed silicon optical modulation using PN diode
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申请号： CN200980137448.5申请日： 2009-09-25
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公开(公告)号： CN102165346B公开(公告)日： 2013-08-14
- 发明人: Y·谢特立 , L·廖 , A·刘
- 申请人： 英特尔公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚
- 专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 陈松涛; 蹇炜
- 优先权： 12/242,454 2008.09.30 US
- 国际申请： PCT/US2009/058315 2009.09.25
- 国际公布： WO2010/039594 EN 2010.04.08
- 进入国家日期： 2011-03-24
- 主分类号： G02B6/12
- IPC分类号： G02B6/12 ; G02B6/26
摘要：
使用PN二极管描述了用于高速硅光调制的一种方法和设备。在一个范例中，光波导具有邻接的第一和第二掺杂半导体区域。所述第一和第二区域具有相反的掺杂类型，且所述第一掺杂区域在两个垂直的方向上延伸通过所述波导。
公开/授权文献
- CN102165346A 使用PN二极管进行高速硅光调制的方法和设备 公开/授权日：2011-08-24
