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发明公开
CN102165346A 使用PN二极管进行高速硅光调制的方法和设备 有权

  • 专利标题： 使用PN二极管进行高速硅光调制的方法和设备
  • 专利标题（英）： Method and apparatus for high speed silicon optical modulation using PN diode
  • 申请号： CN200980137448.5
    申请日： 2009-09-25
  • 公开(公告)号： CN102165346A
    公开(公告)日： 2011-08-24
  • 发明人: Y·谢特立 , L·廖 , A·刘
  • 申请人： 英特尔公司
  • 申请人地址： 美国加利福尼亚
  • 专利权人： 英特尔公司
  • 当前专利权人： 英特尔公司
  • 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚
  • 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
  • 代理商 陈松涛; 蹇炜
  • 优先权： 12/242,454 2008.09.30 US
  • 国际申请： PCT/US2009/058315 2009.09.25
  • 国际公布： WO2010/039594 EN 2010.04.08
  • 进入国家日期： 2011-03-24
  • 主分类号： G02B6/12
  • IPC分类号： G02B6/12 ;  G02B6/26
使用PN二极管进行高速硅光调制的方法和设备
摘要：
使用PN二极管描述了用于高速硅光调制的一种方法和设备。在一个范例中，光波导具有邻接的第一和第二掺杂半导体区域。所述第一和第二区域具有相反的掺杂类型，且所述第一掺杂区域在两个垂直的方向上延伸通过所述波导。
摘要（英）：

A method and apparatus for high speed silicon optical modulation is described using a PN diode. In one example, an optical waveguide has adjoining first and second doped semiconductor regions. The first and second regions have opposite doping types and the first doped region extends in two perpendicular directions through the waveguide.

公开/授权文献
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