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发明授权
CN102130008B 半导体元件的制造方法 有权

半导体元件的制造方法
摘要：
本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供多个第一半导体鳍和多个第二半导体鳍于一基底的表面上方；以一掩模材料覆盖部分但非所有的第一半导体鳍；及使用具有一角度的注入工艺进行注入，借以使所有所述第一半导体鳍被该掩模材料阻挡，没有进行注入，且使所有的第二半导体鳍被注入。本发明使用具有一角度注入工艺掺杂半导体元件的半导体鳍，且提供一图案化光致抗蚀剂，覆盖部分但非所有的第一型态的半导体鳍，本发明使用具有角度的注入工艺，因此，所有的第二型态的半导体鳍被注入，而第一型态的半导体鳍皆没有被注入。本发明因为减少部分使用的光致抗蚀剂，可达成高倾斜或注入角度。
摘要（英）：

An angled implantation process is used in implanting semiconductor fins of a semiconductor device and provides for covering some but not necessarily all of semiconductor fins of a first type with patterned photoresist, and implanting using an implant angle such that all semiconductor fins of a second type are implanted and none of the semiconductor fins of the first type, are implanted. A higher tilt or implant angle is achieved due to the reduced portions of patterned photoresist, that are used.

公开/授权文献
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