发明公开
CN102104017A 一种CMOS有源区隔离工艺
无效 - 驳回
- 专利标题: 一种CMOS有源区隔离工艺
- 专利标题(英): Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) active region isolating process
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申请号: CN201010547502.8申请日: 2010-11-16
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公开(公告)号: CN102104017A公开(公告)日: 2011-06-22
- 发明人: 洪根深 , 顾爱军 , 陈正才 , 李俊
- 申请人: 无锡中微晶园电子有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室
- 专利权人: 无锡中微晶园电子有限公司
- 当前专利权人: 无锡中微晶园电子有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室
- 代理机构: 无锡市大为专利商标事务所
- 代理商 曹祖良
- 主分类号: H01L21/762
- IPC分类号: H01L21/762 ; H01L21/311
摘要:
本发明涉及一种CMOS有源区隔离工艺,其包括如下步骤:a、提供第一导电类型衬底,并形成第二导电类型阱区;b、第一导电类型衬底上依次设置第一阻挡层及第二阻挡层;c、涂布光刻胶,并去除场区上的光刻胶;d、去除场区上的第二阻挡层及第一阻挡层;e、在场区上刻蚀形成隔离沟槽;f、设置第一侧墙层及第二侧墙层;g、去除有源区及隔离沟槽槽底上相应的第二侧墙层,在隔离沟槽内形成对应分布的侧墙;h、在场区上氧化得到隔离层;i、去除有源区上相应的第一侧墙层及第二阻挡层,并除去第一导电类型衬底上场区相对应的侧墙;j、去除第一导电类型衬底上的第一阻挡层。本发明工艺操作简单,鸟嘴减小,满足深亚微米COMS工艺的隔离要求。
IPC分类: