发明授权
- 专利标题: 构成MEMS器件的硅衬底的刻蚀方法
- 专利标题(英): Etching method of silicon substrate forming MEMS (Micro Electro Mechanical System) device
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申请号: CN200910199452.6申请日: 2009-11-26
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公开(公告)号: CN102079503B公开(公告)日: 2012-08-29
- 发明人: 谢红梅 , 贾宬 , 向往 , 李智 , 满庆文
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市张江路18号
- 代理机构: 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 屈蘅; 李时云
- 主分类号: B81C1/00
- IPC分类号: B81C1/00
摘要:
本发明公开了一种构成MEMS器件的硅衬底的刻蚀方法,包括以下步骤:步骤1,提供硅衬底,在所述硅衬底上表面和下表面分别沉积第一硬掩膜层和第二硬掩膜层;步骤2,通过光刻工艺在所述第一硬掩膜层上形成图案化的光阻层;步骤3,以所述图案化的光阻层为掩膜,通过干法刻蚀工艺对所述第一硬掩膜层进行刻蚀,形成图案化的第一硬掩膜层;步骤4,去除所述图案化的光阻层;步骤5,在所述第二硬掩膜层上沉积SiN层;步骤6,以所述图案化的第一硬掩膜层为掩膜,通过各向异性湿法刻蚀工艺对所述硅衬底进行刻蚀。
公开/授权文献
- CN102079503A 构成MEMS器件的硅衬底的刻蚀方法 公开/授权日:2011-06-01