发明授权
- 专利标题: 一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法
- 专利标题(英): MTM antifuse element structure and preparation method thereof
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申请号: CN201010191134.8申请日: 2010-06-04
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公开(公告)号: CN101887883B公开(公告)日: 2011-12-07
- 发明人: 洪根深 , 肖志强 , 陈海峰
- 申请人: 无锡中微晶园电子有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室
- 专利权人: 无锡中微晶园电子有限公司
- 当前专利权人: 无锡中微晶园电子有限公司,中国电子科技集团公司第五十八研究所
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室
- 代理机构: 无锡市大为专利商标事务所
- 代理商 曹祖良
- 主分类号: H01L23/525
- IPC分类号: H01L23/525 ; H01L21/768
摘要:
本发明涉及一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法,其包括衬底及位于衬底上的绝缘支撑层;所述绝缘支撑层上设有金属互连层、反熔丝下极板及氧化层;所述氧化层包覆金属互连层与反熔丝下极板,所述反熔丝下极板与金属互连层间利用氧化层相隔离;所述金属互连层上设有连接孔,所述连接孔从氧化层的表面延伸到金属互连层,连接孔内填充有金属电极;反熔丝下极板上设有反熔丝孔,所述反熔丝孔从氧化层的表面延伸到反熔丝孔;所述反熔丝孔内依次填充有高阻介质层、反熔丝上极板及金属电极;所述金属电极与反熔丝上极板、金属互连层均电性连接。本发明工艺操作简单、可靠性高、兼容性好、抗辐射能力强。
公开/授权文献
- CN101887883A 一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法 公开/授权日:2010-11-17
IPC分类: