发明授权
CN101887849B 两步沉积法制备ZnO薄膜的方法及其装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 两步沉积法制备ZnO薄膜的方法及其装置
- 专利标题(英): Method and device for preparing ZnO film by two-step deposition method
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申请号: CN201010215711.2申请日: 2010-06-29
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公开(公告)号: CN101887849B公开(公告)日: 2011-12-21
- 发明人: 赵岳 , 吕志勇 , 梁小燕 , 李召 , 王林军 , 闵嘉华
- 申请人: 上海大学
- 申请人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 专利权人: 上海大学
- 当前专利权人: 上海大学
- 当前专利权人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 代理机构: 上海上大专利事务所
- 代理商 顾勇华
- 主分类号: H01L21/208
- IPC分类号: H01L21/208
摘要:
本发明涉及一种两步沉积法制备ZnO薄膜的方法及其装置,属纳米晶体薄膜制备方法技术领域。本发明方法的特点是:综合利用了超声雾化热解法和溶胶-凝胶法的原理和设备,分两步沉积ZnO薄膜。第一步是用改进的超声雾化热解法设备制备ZnO纳米颗粒。该设备的特征主要有在喷雾的导管上增加一个高压发生源和荷电喷头,并用一根石英管贯穿整个加热炉,使之直接通向装有一定量去离子水的烧杯里。第二步是使用超声波清洗器和离心机反复清洗ZnO纳米颗粒,最后通过旋涂机旋涂到衬底上。采用本方法避免了超声雾化热解法制备过程中产生的气溶胶对环境的污染,并获得结晶质量高的ZnO薄膜。
公开/授权文献
- CN101887849A 两步沉积法制备ZnO薄膜的方法 公开/授权日:2010-11-17
IPC分类: