氧化膜的氮化处理方法和等离子体处理装置

发明授权

CN101834133B 氧化膜的氮化处理方法和等离子体处理装置失效 - 权利终止

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专利标题： 氧化膜的氮化处理方法和等离子体处理装置
专利标题（英）： Method for nitriding oxide film and plasma processing device
申请号： CN201010163894.8

申请日： 2005-12-22
公开(公告)号： CN101834133B

公开(公告)日： 2012-01-25
发明人: 盐泽俊彦 , 古井真悟 , 小林岳志 , 北川淳一
申请人： 东京毅力科创株式会社
申请人地址： 日本东京
专利权人： 东京毅力科创株式会社
当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
当前专利权人地址： 日本东京
代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
代理商 龙淳
优先权： 2004-380705 2004.12.28 JP
分案原申请号： 200580045366X 2005.12.22
主分类号： H01L21/318
IPC分类号： H01L21/318 ; H01L21/00 ; H01L21/8247

摘要：

本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

摘要（英）：

The present invention relates to a method for nitriding a tunnel oxide film. When nitriding the tunnel oxide film in a non-volatile memory device, a nitrided region is formed in the surface portion of the tunnel oxide film by a plasma processing using a process gas containing a nitrogen gas.

公开/授权文献

CN101834133A 氧化膜的氮化处理方法和等离子体处理装置公开/授权日：2010-09-15

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314	......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/318	.......由氮化物组成的无机层